Name: IAUT260N10S5N019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT260N10S5N019ATMA1TR-ND
Price: 5.6364 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IAUT260N10S5N019ATMA1
Codice DigiKey	IAUT260N10S5N019ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IAUT260N10S5N019ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IAUT260N10S5N019ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUT260N10S5N019ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 260 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUT260N10S5N019ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 166 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11830 pF @ 50 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 260 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 100A, 10V	Codice componente base IAUT260
Vgs(th) max a Id 3.8V a 210µA