MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221
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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R012M2HHXUMA1

Codice DigiKey
448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMSQ120R012M2HHXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMSQ120R012M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMSQ120R012M2HHXUMA1
Descrizione
SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Tempi di consegna standard del produttore
39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
121A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 57A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,1V a 17,8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
109nC a 0V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4050pF a 800V
Potenza - Max
758W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
24-BSOP (larghezza 0,606", 15,40mm), 16 conduttori, piazzola esposta
Contenitore del fornitore
PG-HDSOP-16-221
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In magazzino: 722
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 35,11000€ 35,11
10€ 26,08500€ 260,85
100€ 25,97540€ 2 597,54
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
750€ 21,22179€ 15 916,34
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 35,11000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 42,83420