Name: IMCQ120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.8226 EUR
Availability: InStock

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IMCQ120R026M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMCQ120R026M2HXTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 82 A (Tc) 405W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMCQ120R026M2HXTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	82 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	25,4mohm a 27A, 18V
Vgs(th) max a Id	5.1V @ 8.6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	63.4 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2540 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	405W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-22-3
Contenitore/involucro	Modulo 22-PowerBSOP

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 11,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 13,82260

IMCQ120R026M2HXTMA1