Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 31.171 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IMCQ120R010M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMCQ120R010M2HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 195 A (Tc) 880W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMCQ120R010M2HXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 69A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,1V a 21,7mA
Serie CoolSiC™ G2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 150.1 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6320 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 880W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 195 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP