Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 28.609 EUR
Availability: InStock

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IMCQ120R010M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMCQ120R010M2HXTMA1
Descrizione	SIC DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 195 A (Tc) 880W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	195 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 69A, 18V
Vgs(th) max a Id	5,1V a 21,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	150.1 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6320 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	880W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-22
Contenitore/involucro	Modulo 22-PowerBSOP

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 23,45000	€ 23,45
10	€ 17,61300	€ 176,13

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 23,45000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 28,60900

IMCQ120R010M2HXTMA1