Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 24.766 EUR
Availability: InStock

MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221

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IMSQ120R026M2HHXUMA1
Codice DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Descrizione	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 27A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5.1V @ 8.6mA
Serie CoolSiC™ G2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54nC a 0V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990pF a 800V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 410W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Contenitore/involucro 24-BSOP (larghezza 0,606", 15,40mm), 16 conduttori, piazzola esposta
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 83 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-16-221