Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: InStock

IGB110S10S1XTMA1
Codice DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGB110S10S1XTMA1
Descrizione	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-4-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGB110S10S1XTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta), 23 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 10A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,9V a 3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	340 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSON-4-2
Contenitore/involucro	4-PowerTDFN

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,55333	€ 2 766,65
10 000	€ 0,52534	€ 5 253,40

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,50100

IGB110S10S1XTMA1