Name: IGLT65R110D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110D2ATMA1TR-ND
Price: 4.636 EUR
Availability: InStock

IGLT65R110D2ATMA1
Codice DigiKey	448-IGLT65R110D2ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGLT65R110D2ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGLT65R110D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGLT65R110D2ATMA1
Descrizione	GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 15 A (Tc) 55W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGLT65R110D2ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	140mOhm a 4A
Vgs(th) max a Id	1,6V a 1,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.4 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	170 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-16-8
Contenitore/involucro	Modulo 16-PowerSOP

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,80000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,63600

IGLT65R110D2ATMA1