Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 5.1606 EUR
Availability: InStock

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GAN3R2-100CBEAZ
Codice DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN3R2-100CBEAZ
Descrizione	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60A 394W A montaggio superficiale 8-WLCSP (3,5x2,13)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	GAN3R2-100CBEAZ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 9mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 394W
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A	Contenitore del fornitore 8-WLCSP (3,5x2,13)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Contenitore/involucro 8-XFBGA, WLCSP
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 25A, 5V	Codice componente base GAN3R2