Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 6.3806 EUR
Availability: InStock

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GAN3R2-100CBEAZ
Codice DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN3R2-100CBEAZ
Descrizione	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60A 394W A montaggio superficiale 8-WLCSP (3,5x2,13)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	GAN3R2-100CBEAZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,2mohm a 25A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 9mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1000 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	394W
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-WLCSP (3,5x2,13)
Contenitore/involucro	8-XFBGA, WLCSP
Codice componente base	GAN3R2