Name: IAUS300N10S5N014ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUS300N10S5N014ATMA1TR-ND
Price: 7.3566 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IAUS300N10S5N014ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUS300N10S5N014ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUS300N10S5N014ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUS300N10S5N014ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUS300N10S5N014ATMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUS300N10S5N014ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 275µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 216 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16011 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 360A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOG-8-1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSMD, ad ala di gabbiano