Name: BSC118N10NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC118N10NSGATMA1TR-ND
Price: 2.196 EUR
Availability: InStock

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BSC118N10NSGATMA1
Codice DigiKey	BSC118N10NSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC118N10NSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC118N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC118N10NSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 11 A (Ta), 71 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC118N10NSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 70µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3700 pF @ 50 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 71 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSC118
RDSon (max) a Id, Vgs 11,8mohm a 50A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD19537Q3T	Texas Instruments	712	296-42632-1-ND	€ 1,95000	Simile
DI100N10PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4 580	4878-DI100N10PQ-AQCT-ND	€ 2,85000	Simile
FDMS86101	onsemi	14 301	FDMS86101CT-ND	€ 2,71000	Simile
NTB6410ANT4G	onsemi	880	NTB6410ANT4GOSCT-ND	€ 3,72000	Simile
STL60N10F7	STMicroelectronics	8 845	497-13879-1-ND	€ 1,70000	Simile