Name: FDMS86101
Brand: onsemi
SKU: FDMS86101TR-ND
Price: 3.1354 EUR
Availability: InStock

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FDMS86101
Codice DigiKey	FDMS86101TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86101CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86101DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86101
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 12,4 A (Ta), 60 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86101 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12,4 A (Ta), 60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8mohm a 13A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3000 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	FDMS86