Name: DI100N10PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI100N10PQ-AQTR-ND
Price: 3.477 EUR
Availability: InStock

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DI100N10PQ-AQ
Codice DigiKey	4878-DI100N10PQ-AQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI100N10PQ-AQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI100N10PQ-AQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diotec Semiconductor
Codice produttore	DI100N10PQ-AQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 80 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale 8-QFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DI100N10PQ-AQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V
Produttore Diotec Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3400 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 8-QFN (5x6)
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 30A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,82366	€ 4 118,30

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,85000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,47700

DI100N10PQ-AQ