Name: AIMCQ120R020M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1TR-ND
Price: 22.1918 EUR
Availability: InStock

Canale N 1200 V 116 A (Tc) 577W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22

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AIMCQ120R020M1TXTMA1
Codice DigiKey	448-AIMCQ120R020M1TXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMCQ120R020M1TXTMA1
Descrizione	SIC_DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 116 A (Tc) 577W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMCQ120R020M1TXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	116 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	25mOhm @ 43A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,1V a 13,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2667 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	577W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-22
Contenitore/involucro	Modulo 22-PowerBSOP