Name: AIMZH120R020M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R020M1TXKSA1-ND
Price: 23.973 EUR
Availability: InStock

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AIMZH120R020M1TXKSA1
Codice DigiKey	448-AIMZH120R020M1TXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMZH120R020M1TXKSA1
Descrizione	SIC_DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	25mOhm @ 43A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,1V a 13,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2667 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	429W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4-11
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 19,65000	€ 19,65
30	€ 12,48533	€ 374,56
120	€ 11,49800	€ 1 379,76

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