Name: DMN3018SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3018SFG-7TR-ND
Price: 0.7198 EUR
Availability: OutOfStock

DMN3018SFG-7
Codice DigiKey	31-DMN3018SFG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3018SFG-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3018SFG-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3018SFG-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8,5 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	21mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	697 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMN3018

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,71980

DMN3018SFG-7