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Diodes Incorporated
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Canale N 30 V 8,5 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
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DMN3018SFGQ-13

Codice DigiKey
DMN3018SFGQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMN3018SFGQ-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 8,5 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
21mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
697 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
POWERDI3333-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,15178€ 455,34
6 000€ 0,13915€ 834,90
9 000€ 0,13271€ 1 194,39
15 000€ 0,12547€ 1 882,05
21 000€ 0,12119€ 2 544,99
30 000€ 0,12016€ 3 604,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,15178
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,18517