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DMN3018SFGQ-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMN3018SFGQ-7-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN3018SFGQ-7 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 8,5 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.2 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 697 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore POWERDI3333-8 |
RDSon (max) a Id, Vgs 21mohm a 10A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3018SFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3018SFG-13DICT-ND | € 0,63000 | Equivalente parametrico |
| DMN3018SFG-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3018SFG-7CT-ND | € 0,63000 | Equivalente parametrico |
| DMN3018SFGQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3018SFGQ-13-ND | € 0,14989 | Equivalente parametrico |
| AON7408 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1307-1-ND | € 0,51000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,16316 | € 326,32 |
| 4 000 | € 0,14892 | € 595,68 |
| 6 000 | € 0,14620 | € 877,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,16316 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,19906 |
