Name: PJS6603_S2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJS6603_S2_00001TR-ND
Price: 0.4514 EUR
Availability: InStock

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PJS6603_S2_00001
Codice DigiKey	3757-PJS6603_S2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJS6603_S2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJS6603_S2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJS6603_S2_00001
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4,4A (Ta), 2,9A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA
Produttore Panjit International Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,8nC a 10V, 9,8nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 235pF a 15V, 396pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Complementare canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,4A (Ta), 2,9A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 48mohm a 4,4A, 10V, 110mohm a 2,9A, 10V	Codice componente base PJS6603

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)