Moduli di alimentazione a semiponte in SiC
I moduli di alimentazione in SiC di ROHM integrano MOSFET SiC e SBD in un contenitore standard del settore
I moduli di alimentazione a semiponte in SiC di ROHM Semiconductor integrano MOSFET SiC e SBD in un contenitore standard del settore. Utilizzano un'originale struttura di attenuazione del campo elettrico, insieme a un innovativo metodo di schermatura per mantenere l'affidabilità e per consentire lo sviluppo del primo sistema di produzione di massa per moduli di alimentazione in SiC.
- Bassa induttanza di dispersione
- Caratteristiche di recupero ad alta velocità
- Basse perdite di commutazione
- Nessuna riduzione della potenza necessaria rispetto all'IGBT
- Energia rinnovabile/immagazzinaggio dell'energia
- Caricabatterie e inverter EV/HEV
- Riscaldamento a induzione/saldatura
- HVDC
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Immediatamente | $367.77 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Immediatamente | $563.26 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 8 - Immediatamente | $710.45 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 7 - Immediatamente | $984.00 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - Immediatamente | $318.74 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Immediatamente | $446.80 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Immediatamente | $611.68 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - Immediatamente | $955.37 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - Immediatamente | $1,200.00 | Vedi i dettagli |











