ROHM Semiconductor

Moduli di alimentazione a semiponte in SiC

I moduli di alimentazione in SiC di ROHM integrano MOSFET SiC e SBD in un contenitore standard del settore

Immagine dei moduli di alimentazione a semiponte Full-SiC di ROHM SemiconductorI moduli di alimentazione a semiponte in SiC di ROHM Semiconductor integrano MOSFET SiC e SBD in un contenitore standard del settore. Utilizzano un'originale struttura di attenuazione del campo elettrico, insieme a un innovativo metodo di schermatura per mantenere l'affidabilità e per consentire lo sviluppo del primo sistema di produzione di massa per moduli di alimentazione in SiC.

Caratteristiche
  • Bassa induttanza di dispersione
  • Caratteristiche di recupero ad alta velocità
  • Basse perdite di commutazione
  • Nessuna riduzione della potenza necessaria rispetto all'IGBT
Applicazioni
  • Energia rinnovabile/immagazzinaggio dell'energia
  • Caricabatterie e inverter EV/HEV
  • Riscaldamento a induzione/saldatura
  • HVDC

Full-SiC Half-Bridge Power Modules

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzo
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immediatamente$340.17Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediatamente$482.32Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE16 - Immediatamente$671.51Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE8 - Immediatamente$919.59Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE61 - Immediatamente$272.94Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immediatamente$407.21Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE0 - Immediatamente$565.04Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE4 - Immediatamente$723.68Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE0 - Immediatamente$1,027.56Vedi i dettagli
Data di aggiornamento: 2019-04-23
Data di pubblicazione: 2014-05-09

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Data di pubblicazione: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Data di pubblicazione: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Data di pubblicazione: 2023-02-06

Related Product Highlight

MOSFET SiC al carburo di silicio di 4ª generazione I MOSFET al carburo di silicio di 4ª generazione di ROHM sono progettati per offrire efficienza e prestazioni senza precedenti nelle applicazioni più esigenti.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
Diodi a barriera di Schottky SiC I diodi a barriera di Schottky SiC di ROHM sono qualificati AEC-Q101 per uso automotive.

Related Articles and Blogs

I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Semiconduttori ad ampio bandgap per applicazioni aerospaziali e satellitari I semiconduttori ad ampio bandgap offrono diversi vantaggi nella conversione di potenza, come l'aumento della densità di potenza e dell'efficienza e la riduzione delle dimensioni e del peso del sistema.
Come applicare correttamente i dispositivi di potenza idonei per soddisfare i requisiti di alimentazione in applicazioni industriali Applicando correttamente i componenti di potenza più idonei per alimentatori e convertitori industriali, i progettisti possono garantire le prestazioni e l'affidabilità necessarie.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Trench MOSFETs Minimal reverse recovery behavior of the parasitic diode and supports high-speed switching.