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MOSFET al carburo di silicio (EliteSiC)

I MOSFET EliteSiC di onsemi offrono alta efficienza, maggiore densità di potenza e dimensioni ridotte del sistema

Immagine del MOSFET al carburo di silicio (SiC) di onsemi I MOSFET al carburo di silicio (EliteSiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacitanza e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Documentazione tecnica
Nota applicativa
Caratteristiche
  • 1200 V nominale
  • Max RDS(ON) = 110 mΩ a VGS = 20 V, ID = 20 A
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacitanza
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101
Applicazioni
  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Ricarica PV
Prodotti finali
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
 
  • Inverter solari
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - Immediatamente
6750 - Scorte di fabbrica		$19.13Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3NTHL020N120SC1SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3469 - Immediatamente
4500 - Scorte di fabbrica		$31.20Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247NVH4L160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17.3A TO2471194 - Immediatamente
1800 - Scorte di fabbrica		$9.66Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247NTH4L160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247498 - Immediatamente
3600 - Scorte di fabbrica		$8.38Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7NTBG040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7498 - Immediatamente
76800 - Scorte di fabbrica		$19.21Vedi i dettagli
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7NVBG040N120SC1TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-72846 - Immediatamente$23.69Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4NTH4L080N120SC1SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4350 - Immediatamente
900 - Scorte di fabbrica		$10.55Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NVHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3504 - Immediatamente
2250 - Scorte di fabbrica		$22.24Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAKNTBG020N120SC1SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK1107 - Immediatamente$31.45Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAKNVBG020N120SC1MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK1067 - Immediatamente
6400 - Scorte di fabbrica		$42.17Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3NVHL020N120SC1SICFET N-CH 1200V 103A TO247-339 - Immediatamente$42.26Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 102A TO247NVH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO2471266 - Immediatamente
450 - Scorte di fabbrica		$36.47Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 102A TO247NTH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO247570 - Immediatamente
29250 - Scorte di fabbrica		$31.32Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7NVBG080N120SC1SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7567 - Immediatamente$9.79Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-31777 - Immediatamente
9900 - Scorte di fabbrica		$18.92Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NVH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4221 - Immediatamente
35550 - Scorte di fabbrica		$19.48Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKNTBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK583 - Immediatamente$8.08Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKNVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK977 - Immediatamente$10.51Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3NTHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3117 - Immediatamente
2250 - Scorte di fabbrica		$8.23Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7NTBG080N120SC1SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7880 - Immediatamente$11.44Vedi i dettagli

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5000 - Scorte di fabbrica		$5.67Vedi i dettagli
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Data di aggiornamento: 2020-04-07
Data di pubblicazione: 2019-05-29

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