Canale N 1200 V 30 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
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NVBG080N120SC1

Codice DigiKey
5556-NVBG080N120SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5556-NVBG080N120SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5556-NVBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVBG080N120SC1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 30 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
110mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id
4.3V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1154 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
179W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK-7
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Codice componente base
NVBG080
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,71000€ 9,71
10€ 6,73100€ 67,31
100€ 5,68820€ 568,82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 4,64725€ 3 717,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,84620