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MOSFET a canale N EliteSiC NTH4L
La potenza dei sistemi SiC NTH4L di onsemi apre le porte a progetti innovativi e salvaspazio
I MOSFET EliteSiC NTH4L di onsemi offrono prestazioni ed efficienza eccellenti. Assicurano eccellenti prestazioni di commutazione e alta affidabilità. La bassa resistenza nello stato ON e le dimensioni compatte del chip comportano un minimo spreco di energia, rendendo i sistemi degli utenti altamente efficienti. Le dimensioni compatte del MOSFET al carburo di silicio (SiC) massimizzano lo spazio mantenendo la potenza. Offre EMI ridotte per un funzionamento più fluido e privo di interferenze.
Caratteristiche
- Bassissima carica del gate
- Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
- Zero corrente di recupero inverso del body diode
- Configurazione della sorgente kelvin
- Test UIL (commutazione induttiva "unclamped") al 100%
- A norma RoHS
Applicazioni
- Telecomunicazioni
- Sistemi cloud
- Settore industriale
NTH4L EliteSiC N-Channel MOSFETs
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTH4L015N065SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 1599 - Immediatamente 9450 - Scorte di fabbrica | $24.30 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L014N120M3P | SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE | 495 - Immediatamente 2700 - Scorte di fabbrica | $25.39 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L045N065SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 188 - Immediatamente 10350 - Scorte di fabbrica | $12.02 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L040N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4 | 582 - Immediatamente 6750 - Scorte di fabbrica | $19.13 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L025N065SC1 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 | 167 - Immediatamente 12600 - Scorte di fabbrica | $17.91 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4 | 350 - Immediatamente 900 - Scorte di fabbrica | $10.55 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L060N090SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 478 - Immediatamente 450 - Scorte di fabbrica | $11.92 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L020N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 102A TO247 | 574 - Immediatamente 29250 - Scorte di fabbrica | $31.32 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L160N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 | 498 - Immediatamente 3600 - Scorte di fabbrica | $8.38 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L075N065SC1 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5 | 414 - Immediatamente 450 - Scorte di fabbrica | $9.20 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L070N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL | 313 - Immediatamente 63900 - Scorte di fabbrica | $8.02 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L060N065SC1 | SIC MOS TO247-4L 650V | 489 - Immediatamente 7650 - Scorte di fabbrica | $10.36 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 1517 - Immediatamente 184950 - Scorte di fabbrica | $13.07 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L030N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL | 703 - Immediatamente 347400 - Scorte di fabbrica | $11.48 | Vedi i dettagli |
| | NTH4L028N170M1 | SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER | 751 - Immediatamente 10350 - Scorte di fabbrica | $31.97 | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2024-02-09
Italia