VideoLibrary

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

onsemi is seizing this opportunity to be a leading advocate for building a better future. One of the primary ways we’re contributing to a more sustainable future is through the end-to-end manufacturing of siliconcarbide (SiC).

5/21/2024 7:27:41 PM

onsemi SiCFET (Silicon Carbide) Single FETs, MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3NTHL080N120SC1ASICFET N-CH 1200V 31A TO247-3834 - Immediatamente
149400 - Scorte di fabbrica		$11.17Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-31807 - Immediatamente
9900 - Scorte di fabbrica		$18.92Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - Immediatamente
6750 - Scorte di fabbrica		$19.13Vedi i dettagli
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7NVBG040N120SC1TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-72871 - Immediatamente$23.69Vedi i dettagli
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Immediatamente
9450 - Scorte di fabbrica		$24.30Vedi i dettagli
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL3003 - Immediatamente
8000 - Scorte di fabbrica		$24.31Vedi i dettagli
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL603 - Immediatamente
6750 - Scorte di fabbrica		$24.37Vedi i dettagli
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTHL015N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1490 - Immediatamente$24.43Vedi i dettagli

onsemi SiC (Silicon Carbide) Schottky Single Diodes

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAKFFSB3065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK3488 - Immediatamente
200000 - Scorte di fabbrica		$7.28Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 1200V 17A TO2472FFSH10120A-F085DIODE SIL CARB 1200V 17A TO2472518 - Immediatamente
17550 - Scorte di fabbrica		$8.08Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO24720 - Immediatamente$15.15Vedi i dettagli
DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AAFFSD10120ADIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA559 - Immediatamente$6.05Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263FFSB2065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263800 - Immediatamente$6.46Vedi i dettagli
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263FFSB3065BDIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO2632590 - Immediatamente
3200 - Scorte di fabbrica		$6.56Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2FFSH3065B-F085DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2218 - Immediatamente$8.89Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 1700V 16A TO2472NDSH10170ADIODE SIL CARB 1700V 16A TO247268 - Immediatamente
1350 - Scorte di fabbrica		$8.96Vedi i dettagli

Related Videos

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Data di pubblicazione: 2024-04-03

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Data di pubblicazione: 2024-02-15

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC
onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

Data di pubblicazione: 2023-04-10

Related Product Highlight

Soluzioni di immagazzinaggio dell'energia onsemi Le soluzioni di immagazzinaggio dell'energia di onsemi catturano l'energia prodotta in un determinato momento per utilizzarla in un momento successivo. Si tratta di convertire l'energia da forme difficili da immagazzinare in forme più comode o più economiche da immagazzinare.
MOSFET EliteSiC a canale N NVHL Il MOSFET EliteSiC a canale N NVHL di onsemi offre transizioni fulminee con un'affidabilità superiore in un contenitore miniaturizzato TO-247-3.
MOSFET EliteSiC NVBG I MOSFET EliteSiC NVBG di onsemi offrono commutazione ad alta velocità e bassa capacità elettrica in un contenitore compatto.

Related Articles and Blogs

I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Semiconduttori ad ampio bandgap per applicazioni aerospaziali e satellitari I semiconduttori ad ampio bandgap offrono diversi vantaggi nella conversione di potenza, come l'aumento della densità di potenza e dell'efficienza e la riduzione delle dimensioni e del peso del sistema.
Come rendere più efficiente e affidabile l'infrastruttura energetica riducendo i costi Come utilizzare il carburo di silicio (SiC) per rendere i sistemi di infrastrutture energetiche più efficienti e affidabili con un'impronta di carbonio minore e costi inferiori.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.