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MOSFET EliteSiC NVBG
I MOSFET di onsemi sono ideali per applicazioni c.c./c.c. ad alta potenza
Il MOSFET EliteSiC di onsemi offre una commutazione fulminea con una potenza silenziosa in un design salvaspazio. Il dispositivo EliteSiC funziona in modo fluido, mantenendo i segnali puliti e gli ambienti tranquilli, offrendo al tempo stesso una velocità incredibile e un'affidabilità incrollabile.
La bassa resistenza nello stato On e il minuscolo ingombro abbattono la capacità elettrica e la carica del gate, offrendo una grande potenza in un contenitore compatto. Il dispositivo EliteSiC spreme ogni goccia di energia, massimizzando l'efficienza e riducendo al minimo i costi di esercizio e gli sprechi energetici.
Caratteristiche
- Qualificazione AEC-Q101
- Tensione nominale: da 650 V a 1.700 V
- Commutazione ad alta velocità
- Bassa capacità elettrica
- Testato UIL al 100%
- A norma RoHS
Applicazioni
- Applicazioni c.c./c.c. ad alta potenza
- Inverter
NVBG EliteSiC MOSFETs
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NVBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 293 - Immediatamente 1600 - Scorte di fabbrica | $30.18 | Vedi i dettagli |
|  | NVBG040N120SC1 | TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7 | 2646 - Immediatamente | $23.49 | Vedi i dettagli |
| | NVBG020N120SC1 | MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK | 1064 - Immediatamente | $41.81 | Vedi i dettagli |
| | NVBG075N065SC1 | SIC MOS D2PAK-7L 650V | 3008 - Immediatamente | $11.58 | Vedi i dettagli |
| | NVBG060N065SC1 | SIC MOS D2PAK-7L 650V | 1576 - Immediatamente 1600 - Scorte di fabbrica | $15.82 | Vedi i dettagli |
| | NVBG040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI | 514 - Immediatamente 186400 - Scorte di fabbrica | $16.82 | Vedi i dettagli |
| | NVBG025N065SC1 | SIC MOS D2PAK-7L 650V | 790 - Immediatamente 800 - Scorte di fabbrica | $23.68 | Vedi i dettagli |
| | NVBG022N120M3S | SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V | 1230 - Immediatamente 4000 - Scorte di fabbrica | $23.19 | Vedi i dettagli |
| | NVBG160N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK | 1501 - Immediatamente | $10.42 | Vedi i dettagli |
| | NVBG070N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI | 508 - Immediatamente | $13.18 | Vedi i dettagli |
| | NVBG080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 | 561 - Immediatamente | $9.71 | Vedi i dettagli |
| | NVBG045N065SC1 | SIC MOS D2PAK-7L 650V | 790 - Immediatamente 52800 - Scorte di fabbrica | $15.46 | Vedi i dettagli |
| | NVBG030N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E | 1010 - Immediatamente 12000 - Scorte di fabbrica | $21.58 | Vedi i dettagli |
| | NVBG015N065SC1 | SIC MOS D2PAK-7L 650V | 471 - Immediatamente 219200 - Scorte di fabbrica | $30.99 | Vedi i dettagli |
| | NVBG095N065SC1 | SIC MOS D2PAK-7L 650V | 723 - Immediatamente 5600 - Scorte di fabbrica | $10.14 | Vedi i dettagli |
| | NVBG1000N170M1 | SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L | 0 - Immediatamente | See Page for Pricing | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2024-02-16
Italia