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MOSFET al carburo di silicio (EliteSiC) da 900 V
I MOSFET di onsemi offrono alta efficienza, maggiore densità di potenza e dimensioni ridotte del sistema
I MOSFET EliteSiC da 900 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacitanza e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.
Caratteristiche
- 900 V nominali
- Bassa resistenza nello stato On
- Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
- Commutazione ad alta velocità e bassa capacitanza
- Testato UIL al 100%
- Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101
Applicazioni
- PFC
- OBC
- Inverter boost
- Ricarica PV
- Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
- Caricatori di bordo automotive
- Comandi motore ausiliari automotive
- Alimentatori di rete
- Alimentatori per server
900 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NVBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 293 - Immediatamente 1600 - Scorte di fabbrica | $30.18 | Vedi i dettagli |
|  | NTHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 1555 - Immediatamente 2700 - Scorte di fabbrica | $24.28 | Vedi i dettagli |
| | NVHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 168 - Immediatamente | $25.43 | Vedi i dettagli |
|  | NTH4L060N090SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 478 - Immediatamente 450 - Scorte di fabbrica | $11.82 | Vedi i dettagli |
|  | NTBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 714 - Immediatamente | $24.39 | Vedi i dettagli |
| | NTHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 3353 - Immediatamente | $11.48 | Vedi i dettagli |
| | NVHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 163 - Immediatamente 59400 - Scorte di fabbrica | $15.63 | Vedi i dettagli |
Other Wide Bandgap Solutions
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - Immediatamente | See Page for Pricing | Vedi i dettagli |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 153 - Immediatamente | $5.62 | Vedi i dettagli |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1224 - Immediatamente | $3.94 | Vedi i dettagli |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 731 - Immediatamente 96000 - Scorte di fabbrica | $3.65 | Vedi i dettagli |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 492 - Immediatamente | $2.58 | Vedi i dettagli |
|  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 804 - Immediatamente | $15.02 | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2020-04-14
Italia