Mentalità lungimirante che alimenta l'evoluzione delle infrastrutture energetiche - onsemi

onsemi sfrutta decenni di esperienza in tecnologie innovative, affidabili, altamente efficienti e di qualità di semiconduttori di potenza di prossima generazione per ridurre i tempi di sviluppo, al contempo superando la densità di potenza e i bilanci di perdita di energia richiesti dall'applicazione. Il nostro scopo è aiutare te e il tuo team di produzione a dormire meglio la notte sapendo che hai contribuito a rendere il mondo un posto migliore.

  • Stazioni di ricarica EV
  • Immagazzinaggio dell'energia/UPS
  • Inverter solari
  • MOSFET SiC
  • Diodi SiC
  • Driver SiC
  • Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC
  • IGBT
  • Gate driver con isolamento galvanico
  • Amplificatori per rilevamento di corrente
  • Amplificatori operazionali: rilevamento di tensione e corrente
  • Regolazioni di tensione (LDO)
  • Regolatori/convertitori
    c.a./c.c., c.c./c.c.

MOSFET SiC

MOSFET SiC a 650 V di onsemi

MOSFET SiC a 650 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Caratteristiche

  • Bassa RDson
  • Alta temperatura di giunzione
  • Testato UIL al 100%
  • A norma RoHS
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • 650 V nominali
  • Disponibili varianti AEC-Q101

Applicazioni

  • Convertitore c.c./c.c.
  • Inverter boost
  • C.c./c.c. automotive
  • PFC automotive

Prodotti finali

  • UPS
  • Solare
  • Alimentazione
  • Caricatore di bordo automotive
  • Convertitore c.c./c.c. automotive per EV/PHEV

MOSFET SiC a 650 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTBG045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
MOSFET SiC a 900 V di onsemi

MOSFET SiC a 900 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • 900 V nominali
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101

Applicazioni

  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Ricarica PV
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

MOSFET SiC a 900 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL060N090SC1 SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Vedi i dettagli

MOSFET SiC a 1200 V di onsemi

MOSFET SiC a 1200 V M3S

La nuova famiglia di MOSFET SiC planari M3S da 1200 V è ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un comando di tensione di gate negativo e disattiva gli impulsi a breve sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se comandata con un pilotaggio del gate da 18 V, ma funziona bene anche a 15 V.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Contenitore TO247-4LD per bassa induttanza a sorgente comune
  • Pilotaggio del gate da 15 V a 18 V
  • Nuova tecnologia M3S: RDSon di 22 mohm con basse perdite EON ed EOFF
  • Testato a valanga al 100%

Vantaggi

  • Ridotte perdite EON
  • 18 V per le migliori prestazioni; 15 V per compatibilità con circuiti driver IGBT
  • Densità di potenza migliorata
  • Maggiore robustezza a sovraoscillazione o picchi di tensione in ingresso imprevisti

Applicazioni

  • Conversione c.a./c.c.
  • Conversione c.c./c.a.
  • Conversione c.c./c.c.

Prodotti finali

  • UPS
  • Caricabatterie per veicoli elettrici
  • Inverter solari
  • Sistemi di immagazzinaggio dell'energia

MOSFET SiC a 1200 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli

Diodi SiC

Diodo SiC a 650 V

Diodi SiC a 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Facile da collegare in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP

Vantaggi

  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

Diodi SiC a 650 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
FFSB0665B 650V 6A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB0865B 650V 8A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSP08120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP10120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP15120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSH20120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2 Vedi i dettagli
FFSP3065A DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSM0665A 650V 6A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD1065A 650V 10A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSB1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB2065B-F085 DIODO SIC 650V Vedi i dettagli
FFSM1265A 650V 12A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD08120A 1200V 8A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD10120A DIODO SCHOTTKY 1.2KV TO252 Vedi i dettagli
FFSD1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB3065B-F085 650V 30A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB10120A-F085 1200V 10A AUTO SIC SBD Vedi i dettagli
FFSB20120A-F085 1200V 20A AUTO SIC SBD Vedi i dettagli
FFSP05120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP20120A DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L Vedi i dettagli

Diodo SiC a 1200 V

Diodi SiC a 1200 V

I MOSFET SiC a 1200 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. La bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • 1200 V nominali
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101

Applicazioni

  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Caricatori PV
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
  • Inverter solari
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

Diodi SiC a 1200 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli

Diodo SiC a 1700 V

Diodi SiC a 1700 V

I diodi Schottky SiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del SiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Facilità di collegamento in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP

Applicazioni

  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

Diodi SiC a 1700 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NDSH25170A SIC JBS 1700V 25A TO247 Vedi i dettagli

Driver SiC

Driver SiC

Driver SiC

Il driver singolo ad alta velocità a 6 A low-side NCx51705 di onsemi è progettato principalmente per pilotare transistor MOSFET SiC. Per ottenere le perdite di conduzione più basse possibili, il driver può fornire la massima tensione di gate consentita al dispositivo MOSFET SiC. Fornendo una corrente di picco elevata durante l'accensione e lo spegnimento, anche le perdite di commutazione sono ridotte al minimo. Per una maggiore affidabilità, immunità dv/dt e uno spegnimento ancora più rapido, NCx51705 può utilizzare la sua pompa di carica su scheda per generare un rail di tensione negativa selezionabile dall'utente. Per applicazioni isolate, NCx51705 fornisce anche un rail a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario di optoisolatori digitali o ad alta velocità.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Alta corrente di uscita di picco con stadi di uscita divisi
  • Tensione nominale positiva estesa fino a 28 V max
  • Pompa di carica negativa incorporata regolabile dall'utente (-3,3 ~ -8 V)
  • Rail di riferimento/polarizzazione da 5 V accessibile
  • Blocco di sottotensione regolabile
  • Funzione di desaturazione rapida
  • Contenitore QFN24 di 4 x 4 mm
  • Consente una regolazione on/off indipendente
  • Funzionamento efficiente del MOSFET SiC durante il periodo di conduzione
  • Spegnimento rapido e robusta immunità dv/dt
  • Riduce al minimo la complessità dell'alimentazione di polarizzazione in applicazioni di pilotaggio del gate isolato
  • Ampiezza VGS sufficiente per abbinare le migliori prestazioni SiC
  • Autoprotezione del design
  • Contenitore compatto e a bassa induttanza parassita

Applicazioni

  • Inverter ad alte prestazioni
  • Driver per motori ad alta potenza
  • PFC per totem pole
  • Driver per motori e industriali
  • Gruppi di continuità e inverter solari
  • Caricabatterie c.c. ad alta potenza

Driver SiC

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NCP51705MNTXG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN Vedi i dettagli
NCV51705MNTWG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN Vedi i dettagli

Gate driver ad alta corrente isolato

Gate driver ad alta corrente isolati

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e SiC MOSFET invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

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Gate driver ad alta corrente isolati

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli
NCV57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli

Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC

Moduli ibridi SiC

Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC

Caratteristiche

  1. Ottimizzati per prestazioni superiori
  2. Resistenza termica inferiore rispetto ai dispositivi discreti
  3. Contenitori facili da montare per adattarsi alle piedinature standard del settore

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NXH006P120MNF2PTG Moduli SiC, semiponte 2-PACK 1200 V, MOSFET SiC 6 mohm, contenitore F2 Vedi i dettagli

IGBT

IGBT

IGBT

Gli IGBT di onsemi offrono prestazioni ottimali bilanciando VCE(sat) e le perdite Eoff e la sovraelongazione Vce di spegnimento controllabile. Offrono inoltre affidabilità e prestazioni massime grazie al coefficiente di temperatura positivo, alla bassa tensione di saturazione (VCE(sat)), alle perdite di commutazione e conduzione molto basse e alla commutazione rapida. Sono adatti per applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni e sono progettati e qualificati per applicazioni automotive e industriali.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
FGHL75T65MQD IGBT - IGBT a velocità di commutazione media FS4 650 V 75 A Vedi i dettagli
FGY75T95SQDT IGBT - IGBT Field-Stop Trench 950 V 75 A Vedi i dettagli
FGY60T120SQDN IGBT Ultra Field-Stop - 1200 V 60 A Vedi i dettagli

Gate driver con isolamento galvanico

Gate driver con isolamento galvanico

Gate driver con isolamento galvanico

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e SiC MOSFET invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli
NCV57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli

Amplificatori per rilevamento di corrente

Amplificatori per rilevamento di corrente

Amplificatori per rilevamento di corrente

Gli amplificatori per rilevamento di corrente forniscono informazioni critiche che possono aiutare nelle funzioni di sicurezza e diagnostiche di un sistema monitorando il consumo di corrente. Integrano resistori esterni per assicurare maggiore precisione e ingombro più compatto, per supportare amplificatori operazionali autonomi.

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Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCS2002SN1T1G IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6TSOP Vedi i dettagli
NCS2002SN2T1G IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6TSOP Vedi i dettagli
NCS2004SQ3T2G IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC88A Vedi i dettagli
NCS211RMUTAG IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 10UQFN Vedi i dettagli
Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
STR-CURRENT-SENSE-GEVB CURRENT SENSE AMPLIFIER EVALUATION Vedi i dettagli
SECO-1KW-MDK-GEVK 1KW 600V INDUSTRIAL MOTOR DEVELOP Vedi i dettagli
NCS2200AGEVB BOARD EVAL NCS2200A COMP UDFN6 Vedi i dettagli
NCS2220AGEVB BOARD EVAL FOR NCS2220A UDFN6 Vedi i dettagli

Amplificatori operazionali: rilevamento di tensione e corrente

Amplificatori per rilevamento di corrente

Amplificatori operazionali: rilevamento di tensione e corrente

Gli amplificatori CMOS offrono funzionamento rail-to-rail, che garantisce una gamma dinamica più ampia. I requisiti di sistema variabili e un intervallo da 270 kHz a 10 MHz offrono ai progettisti di sistemi flessibilità nella scelta dell'amplificatore. Sono inoltre disponibili in diversi contenitori salvaspazio, soddisfacendo così sia i vincoli di potenza che quelli di spazio dei moderni progetti di sistemi.

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Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCS20166SN2T1G IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC74A Vedi i dettagli
NCV20062DR2G IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC Vedi i dettagli
NCS2333MUTBG IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8UDFN Vedi i dettagli

Regolatori di tensione (LDO)

Regolatore di tensione

Regolatori di tensione (LDO)

I regolatori lineari (LDO) forniscono una soluzione ottimale per requisiti di progettazione a bassa potenza, con vincoli di spazio e a basso rumore. La semplicità del design e i pochi componenti esterni rendono questi dispositivi facilmente integrabili nel prodotto finale. Questo ampio portafoglio offre PSRR elevata, basso rumore, bassa corrente di quiescenza (Iq), bassa caduta di tensione e ampio intervallo di tensione di ingresso. In qualità di azienda leader di mercato, forniamo componenti che offrono le migliori prestazioni del settore con una progettazione robusta e una produzione di alta qualità. Le opzioni del contenitore includono le dimensioni più piccole del settore fino a contenitori più grandi, fornendo una soluzione ideale per applicazioni automotive, industriali e consumer.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCP164 Regolatore LDO a 300 mA, rumore ultrabasso, PSRR elevata con Power Good Vedi i dettagli
NCP715 Regolatore LDO, 50 mA, bassissima IQ Vedi i dettagli
NCP730 Regolatore LDO, 150 mA, 38 V, IQ di 1 uA, con PG Vedi i dettagli

Regolatori/convertitori c.a./c.c., c.c./c.c.

Regolatore/convertitore c.a./c.c., c.c./c.c.

Regolatori/convertitori c.a./c.c., c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

Caratteristiche

  1. Controller a commutazione offline, inclusi i controller PWM flyback e forward a frequenza fissa e i controller in modalità di corrente e in modalità di tensione.
  2. Regolatori a commutazione offline, inclusi i dispositivi in modalità di corrente, in modalità di tensione e oscillatori con gate.
  3. Controller variabili del fattore di potenza CRM, CCM e DCM che consentono la correzione del fattore di potenza.
  4. Controller di raddrizzamento sincrono sul lato secondario.
  5. Controller c.c./c.c. in modalità di corrente e in modalità di tensione per circuiti di conversione di potenza c.c./c.c..

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCP10670 IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 8SOIC Vedi i dettagli
FSL336 IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP Vedi i dettagli
FSL337 IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP Vedi i dettagli
FSL518A/H IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP Vedi i dettagli
FSL538A/H IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP Vedi i dettagli
  • MOSFET SiC
  • Diodi SiC
  • Driver SiC
  • Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC
  • IGBT FS4 a 650 V
  • Gate driver con isolamento galvanico
  • Regolatori/convertitori
    c.a./c.c., c.c./c.c.
  • Comunicazione
  • Controller di gestione termica

MOSFET SiC

MOSFET SiC a 650 V di onsemi

MOSFET SiC a 650 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Caratteristiche

  • Bassa RDson
  • Alta temperatura di giunzione
  • Testato UIL al 100%
  • A norma RoHS
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • 650 V nominali
  • Disponibili varianti AEC-Q101

Applicazioni

  • Convertitore c.c./c.c.
  • Inverter boost
  • C.c./c.c. automotive
  • PFC automotive

Prodotti finali

  • UPS
  • Solare
  • Alimentazione
  • Caricatore di bordo automotive
  • Convertitore c.c./c.c. automotive per EV/PHEV

MOSFET SiC a 650 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTBG045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
MOSFET SiC a 900 V di onsemi

MOSFET SiC a 900 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • 900 V nominali
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101

Applicazioni

  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Ricarica PV
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

MOSFET SiC a 900 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL060N090SC1 SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Vedi i dettagli

MOSFET SiC a 1200 V di onsemi

MOSFET SiC a 1200 V M3S

La nuova famiglia di MOSFET SiC planari M3S da 1200 V è ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un comando di tensione di gate negativo e disattiva gli impulsi a breve sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se comandata con un pilotaggio del gate da 18 V, ma funziona bene anche a 15 V.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Contenitore TO247-4LD per bassa induttanza a sorgente comune
  • Pilotaggio del gate da 15 V a 18 V
  • Nuova tecnologia M3S: RDSon di 22 mohm con basse perdite EON ed EOFF
  • Testato a valanga al 100%

Vantaggi

  • Ridotte perdite EON
  • 18 V per le migliori prestazioni; 15 V per compatibilità con circuiti driver IGBT
  • Densità di potenza migliorata
  • Maggiore robustezza a sovraoscillazione o picchi di tensione in ingresso imprevisti

Applicazioni

  • Conversione c.a./c.c.
  • Conversione c.c./c.a.
  • Conversione c.c./c.c.

Prodotti finali

  • UPS
  • Caricabatterie per veicoli elettrici
  • Inverter solari
  • Sistemi di immagazzinaggio dell'energia

MOSFET SiC a 1200 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli

Diodi SiC

Diodo SiC a 650 V

Diodi SiC a 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Facile da collegare in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP

Vantaggi

  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

Diodi SiC a 650 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
FFSB0665B 650V 6A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB0865B 650V 8A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSP08120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP10120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP15120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSH20120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2 Vedi i dettagli
FFSP3065A DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSM0665A 650V 6A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD1065A 650V 10A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSB1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB2065B-F085 DIODO SIC 650V Vedi i dettagli
FFSM1265A 650V 12A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD08120A 1200V 8A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD10120A DIODO SCHOTTKY 1.2KV TO252 Vedi i dettagli
FFSD1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB3065B-F085 650V 30A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB10120A-F085 1200V 10A AUTO SIC SBD Vedi i dettagli
FFSB20120A-F085 1200V 20A AUTO SIC SBD Vedi i dettagli
FFSP05120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP20120A DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L Vedi i dettagli

Diodo SiC a 1200 V

Diodi SiC a 1200 V

I MOSFET SiC a 1200 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. La bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

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Caratteristiche

  • 1200 V nominali
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101

Applicazioni

  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Caricatori PV
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
  • Inverter solari
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

Diodi SiC a 1200 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli

Diodo SiC a 1700 V

Diodi SiC a 1700 V

I diodi Schottky SiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del SiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

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Caratteristiche

  • Facilità di collegamento in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP

Applicazioni

  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

Diodi SiC a 1700 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NDSH25170A SIC JBS 1700V 25A TO247 Vedi i dettagli

Driver SiC

Driver SiC

Driver SiC

Il driver singolo ad alta velocità a 6 A low-side NCx51705 di onsemi è progettato principalmente per pilotare transistor MOSFET SiC. Per ottenere le perdite di conduzione più basse possibili, il driver può fornire la massima tensione di gate consentita al dispositivo MOSFET SiC. Fornendo una corrente di picco elevata durante l'accensione e lo spegnimento, anche le perdite di commutazione sono ridotte al minimo. Per una maggiore affidabilità, immunità dv/dt e uno spegnimento ancora più rapido, NCx51705 può utilizzare la sua pompa di carica su scheda per generare un rail di tensione negativa selezionabile dall'utente. Per applicazioni isolate, NCx51705 fornisce anche un rail a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario di optoisolatori digitali o ad alta velocità.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Alta corrente di uscita di picco con stadi di uscita divisi
  • Tensione nominale positiva estesa fino a 28 V max
  • Pompa di carica negativa incorporata regolabile dall'utente (-3,3 ~ -8 V)
  • Rail di riferimento/polarizzazione da 5 V accessibile
  • Blocco di sottotensione regolabile
  • Funzione di desaturazione rapida
  • Contenitore QFN24 di 4 x 4 mm
  • Consente una regolazione on/off indipendente
  • Funzionamento efficiente del MOSFET SiC durante il periodo di conduzione
  • Spegnimento rapido e robusta immunità dv/dt
  • Riduce al minimo la complessità dell'alimentazione di polarizzazione in applicazioni di pilotaggio del gate isolato
  • Ampiezza VGS sufficiente per abbinare le migliori prestazioni SiC
  • Autoprotezione del design
  • Contenitore compatto e a bassa induttanza parassita

Applicazioni

  • Inverter ad alte prestazioni
  • Driver per motori ad alta potenza
  • PFC per totem pole
  • Driver per motori e industriali
  • Gruppi di continuità e inverter solari
  • Caricabatterie c.c. ad alta potenza

Driver SiC

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NCP51705MNTXG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN Vedi i dettagli
NCV51705MNTWG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN Vedi i dettagli

Gate driver ad alta corrente isolato

Gate driver ad alta corrente isolati

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e SiC MOSFET invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

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Gate driver ad alta corrente isolati

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli
NCV57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli

Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC

Moduli ibridi SiC

Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC

Caratteristiche

  • Ottimizzati per prestazioni superiori
  • Resistenza termica inferiore rispetto ai dispositivi discreti
  • Contenitori facili da montare per adattarsi alle piedinature standard del settore
Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module (PIM), IGBT dual boost 1200 V, 50 A + diodo SiC 1200 V, 20 A Vedi i dettagli
NXH80B120MNQ0SNG Modulo MOSFET SiC completo, boost SiC completo a due canali, MOSFET SiC da 1200 V, 80 mohm + diodo SiC 1200 V, 20 A Vedi i dettagli

IGBT FS4 a 650 V

IGBT

IGBT FS4 a 650 V

Gli IGBT di onsemi offrono prestazioni ottimali bilanciando VCE(sat) e le perdite Eoff e la sovraelongazione Vce di spegnimento controllabile. Offrono inoltre affidabilità e prestazioni massime grazie al coefficiente di temperatura positivo, alla bassa tensione di saturazione (VCE(sat)), alle perdite di commutazione e conduzione molto basse e alla commutazione rapida. Sono adatti per applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni e sono progettati e qualificati per applicazioni automotive e industriali.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
FGH40T65SQD-F155 IGBT FS4 Vedi i dettagli
NGTB25N120FL3WG IGBT, Ultra Field-Stop - 1200 V, 25 A Vedi i dettagli
NGTB40N120S3WG IGBT, 1200V, 40 A bassa VF FSIII Vedi i dettagli

Gate driver con isolamento galvanico

Gate driver con isolamento galvanico

Gate driver con isolamento galvanico

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e SiC MOSFET invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli
NCV57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli

Regolatori/convertitori c.a./c.c., c.c./c.c.

Regolatore/convertitore c.a./c.c., c.c./c.c.

Regolatori/convertitori c.a./c.c., c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

Caratteristiche

  1. Controller a commutazione offline, inclusi i controller PWM flyback e forward a frequenza fissa e i controller in modalità di corrente e in modalità di tensione.
  2. Regolatori a commutazione offline, inclusi i dispositivi in modalità di corrente, in modalità di tensione e oscillatori con gate.
  3. Controller variabili del fattore di potenza CRM, CCM e DCM che consentono la correzione del fattore di potenza.
  4. Controller di raddrizzamento sincrono sul lato secondario.
  5. Controller c.c./c.c. in modalità di corrente e in modalità di tensione per circuiti di conversione di potenza c.c./c.c..

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCP10670 IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 8SOIC Vedi i dettagli
FSL336 IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP Vedi i dettagli
FSL337 IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP Vedi i dettagli
FSL518A/H IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP Vedi i dettagli
FSL538A/H IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP Vedi i dettagli

Comunicazione

CAN

CAN

I transceiver cablati di onsemi sono ideali per soluzioni di rete per veicoli, reti industriali, sistemi elettronici per porte decentralizzati, unità di controllo scocca (BCU), automazione domestica, degli edifici e dei processi, monitoraggio ambientale e applicazioni di energia intelligente. Il portafoglio comprende anche opzioni qualificate AEC-Q101 e con supporto PPAP progettate e qualificate specificamente per applicazioni nel settore automotive.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCV7349 Transceiver CAN, alta velocità, bassa potenza Vedi i dettagli
NCV7351 Transceiver CAN/CAN FD, alta velocità Vedi i dettagli
NCV7357 Transceiver CAN FD, alta velocità Vedi i dettagli
NCV7343 Transceiver CAN FD, alta velocità, bassa potenza Vedi i dettagli
NCV7344 Transceiver CAN FD, alta velocità, bassa potenza Vedi i dettagli
BLE

BLE

Abilitato con la connettività wireless Bluetooth® Low Energy, RSL15 risponde alla crescente domanda di sicurezza delle applicazioni industriali connesse senza sacrificare il consumo energetico.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
RSL10 SoC radio, certificato Bluetooth® 5, SDK 3.5 / SIP Vedi i dettagli
RSL15 MCU wireless sicuro Bluetooth® 5.2 Vedi i dettagli

Controller di gestione termica

Controller di gestione termica

Controller di gestione termica

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
LV8324C Comando motore BLDC monofase 24 V (ventola soffiante) Vedi i dettagli
NCT375 Sensore di temperatura (con I2C) Vedi i dettagli
NCP1340 Controller lato primario, secondario Vedi i dettagli
NCP4306 Controller lato primario, secondario Vedi i dettagli
  • MOSFET SiC
  • Diodi SiC
  • Driver SiC
  • Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC
  • Comunicazione
  • Gate driver con isolamento galvanico
  • Isolatori digitali
  • Regolatori c.a./c.c. - c.c./c.c.
  • Controller c.a./c.c. - c.c./c.c.
  • Convertitori c.c./c.c.

MOSFET SiC

MOSFET SiC a 650 V di onsemi

MOSFET SiC a 650 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Caratteristiche

  • Bassa RDson
  • Alta temperatura di giunzione
  • Testato UIL al 100%
  • A norma RoHS
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • 650 V nominali
  • Disponibili varianti AEC-Q101

Applicazioni

  • Convertitore c.c./c.c.
  • Inverter boost
  • C.c./c.c. automotive
  • PFC automotive

Prodotti finali

  • UPS
  • Solare
  • Alimentazione
  • Caricatore di bordo automotive
  • Convertitore c.c./c.c. automotive per EV/PHEV

MOSFET SiC a 650 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTBG045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
NTH4L015N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Vedi i dettagli
MOSFET SiC a 900 V di onsemi

MOSFET SiC a 900 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • 900 V nominali
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101

Applicazioni

  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Ricarica PV
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

MOSFET SiC a 900 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL060N090SC1 SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Vedi i dettagli

MOSFET SiC a 1200 V di onsemi

MOSFET SiC a 1200 V M3S

La nuova famiglia di MOSFET SiC planari M3S da 1200 V è ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un comando di tensione di gate negativo e disattiva gli impulsi a breve sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se comandata con un pilotaggio del gate da 18 V, ma funziona bene anche a 15 V.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Contenitore TO247-4LD per bassa induttanza a sorgente comune
  • Pilotaggio del gate da 15 V a 18 V
  • Nuova tecnologia M3S: RDSon di 22 mohm con basse perdite EON ed EOFF
  • Testato a valanga al 100%

Vantaggi

  • Ridotte perdite EON
  • 18 V per le migliori prestazioni; 15 V per compatibilità con circuiti driver IGBT
  • Densità di potenza migliorata
  • Maggiore robustezza a sovraoscillazione o picchi di tensione in ingresso imprevisti

Applicazioni

  • Conversione c.a./c.c.
  • Conversione c.c./c.a.
  • Conversione c.c./c.c.

Prodotti finali

  • UPS
  • Caricabatterie per veicoli elettrici
  • Inverter solari
  • Sistemi di immagazzinaggio dell'energia

MOSFET SiC a 1200 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli

Diodi SiC

Diodo SiC a 650 V

Diodi SiC a 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Facile da collegare in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP

Vantaggi

  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

Diodi SiC a 650 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
FFSB0665B 650V 6A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB0865B 650V 8A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSP08120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP10120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP15120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSH20120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2 Vedi i dettagli
FFSP3065A DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2 Vedi i dettagli
FFSM0665A 650V 6A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD1065A 650V 10A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSB1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB2065B-F085 DIODO SIC 650V Vedi i dettagli
FFSM1265A 650V 12A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD08120A 1200V 8A SIC SBD Vedi i dettagli
FFSD10120A DIODO SCHOTTKY 1.2KV TO252 Vedi i dettagli
FFSD1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB3065B-F085 650V 30A SIC SBD GEN1.5 Vedi i dettagli
FFSB10120A-F085 1200V 10A AUTO SIC SBD Vedi i dettagli
FFSB20120A-F085 1200V 20A AUTO SIC SBD Vedi i dettagli
FFSP05120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2 Vedi i dettagli
FFSP20120A DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L Vedi i dettagli

Diodo SiC a 1200 V

Diodi SiC a 1200 V

I MOSFET SiC a 1200 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. La bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • 1200 V nominali
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse
  • Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
  • Testato UIL al 100%
  • Qualificato per il settore automotive secondo AEC-Q101

Applicazioni

  • PFC
  • OBC
  • Inverter boost
  • Caricatori PV
  • Convertitori c.c./c.c. automotive per EV/PHEV
  • Caricatori di bordo automotive
  • Comandi motore ausiliari automotive
  • Inverter solari
  • Alimentatori di rete
  • Alimentatori per server

Diodi SiC a 1200 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Vedi i dettagli
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Vedi i dettagli
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Vedi i dettagli

Diodo SiC a 1700 V

Diodi SiC a 1700 V

I diodi Schottky SiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del SiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Facilità di collegamento in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP

Applicazioni

  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

Diodi SiC a 1700 V

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NDSH25170A SIC JBS 1700V 25A TO247 Vedi i dettagli

Driver SiC

Driver SiC

Driver SiC

Il driver singolo ad alta velocità a 6 A low-side NCx51705 di onsemi è progettato principalmente per pilotare transistor MOSFET SiC. Per ottenere le perdite di conduzione più basse possibili, il driver può fornire la massima tensione di gate consentita al dispositivo MOSFET SiC. Fornendo una corrente di picco elevata durante l'accensione e lo spegnimento, anche le perdite di commutazione sono ridotte al minimo. Per una maggiore affidabilità, immunità dv/dt e uno spegnimento ancora più rapido, NCx51705 può utilizzare la sua pompa di carica su scheda per generare un rail di tensione negativa selezionabile dall'utente. Per applicazioni isolate, NCx51705 fornisce anche un rail a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario di optoisolatori digitali o ad alta velocità.

Per saperne di più

Caratteristiche

  • Alta corrente di uscita di picco con stadi di uscita divisi
  • Tensione nominale positiva estesa fino a 28 V max
  • Pompa di carica negativa incorporata regolabile dall'utente (-3,3 ~ -8 V)
  • Rail di riferimento/polarizzazione da 5 V accessibile
  • Blocco di sottotensione regolabile
  • Funzione di desaturazione rapida
  • Contenitore QFN24 di 4 x 4 mm
  • Consente una regolazione on/off indipendente
  • Funzionamento efficiente del MOSFET SiC durante il periodo di conduzione
  • Spegnimento rapido e robusta immunità dv/dt
  • Riduce al minimo la complessità dell'alimentazione di polarizzazione in applicazioni di pilotaggio del gate isolato
  • Ampiezza VGS sufficiente per abbinare le migliori prestazioni SiC
  • Autoprotezione del design
  • Contenitore compatto e a bassa induttanza parassita

Applicazioni

  • Inverter ad alte prestazioni
  • Driver per motori ad alta potenza
  • PFC per totem pole
  • Driver per motori e industriali
  • Gruppi di continuità e inverter solari
  • Caricabatterie c.c. ad alta potenza

Driver SiC

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NCP51705MNTXG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN Vedi i dettagli
NCV51705MNTWG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN Vedi i dettagli

Gate driver ad alta corrente isolato

Gate driver ad alta corrente isolati

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e SiC MOSFET invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Per saperne di più

Gate driver ad alta corrente isolati

Codice produttore Descrizione Vedi i dettagli
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli
NCV57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli

Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC

Moduli ibridi SiC

Moduli di alimentazione e moduli ibridi SiC

Caratteristiche

  • Ottimizzati per prestazioni superiori
  • Resistenza termica inferiore rispetto ai dispositivi discreti
  • Contenitori facili da montare per adattarsi alle piedinature standard del settore
Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module (PIM), IGBT dual boost 1200 V, 50 A + diodo SiC 1200 V, 20 A Vedi i dettagli
NXH80B120MNQ0SNG Modulo MOSFET SiC completo, boost SiC completo a due canali, MOSFET SiC da 1200 V, 80 mohm + diodo SiC 1200 V, 20 A Vedi i dettagli

Comunicazione

CAN

CAN

I transceiver cablati di onsemi sono ideali per soluzioni di rete per veicoli, reti industriali, sistemi elettronici per porte decentralizzati, unità di controllo scocca (BCU), automazione domestica, degli edifici e dei processi, monitoraggio ambientale e applicazioni di energia intelligente. Il portafoglio comprende anche opzioni qualificate AEC-Q101 e con supporto PPAP progettate e qualificate specificamente per applicazioni nel settore automotive.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCV7349 Transceiver CAN, alta velocità, bassa potenza Vedi i dettagli
NCV7351 Transceiver CAN/CAN FD, alta velocità Vedi i dettagli
NCV7357 Transceiver CAN FD, alta velocità Vedi i dettagli
NCV7343 Transceiver CAN FD, alta velocità, bassa potenza Vedi i dettagli
NCV7344 Transceiver CAN FD, alta velocità, bassa potenza Vedi i dettagli
BLE

BLE

Abilitato con la connettività wireless Bluetooth® Low Energy, RSL15 risponde alla crescente domanda di sicurezza delle applicazioni industriali connesse senza sacrificare il consumo energetico.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
RSL10 SoC radio, certificato Bluetooth® 5, SDK 3.5 / SIP Vedi i dettagli
RSL15 MCU wireless sicuro Bluetooth® 5.2 Vedi i dettagli

Gate driver con isolamento galvanico

Gate driver con isolamento galvanico

Gate driver con isolamento galvanico

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e SiC MOSFET invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Vedi i dettagli
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli
NCV57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER Vedi i dettagli

Isolatori digitali

Isolatori digitali

Isolatori digitali

Gli isolatori digitali di onsemi utilizzano un segnale modulato ad alta frequenza per trasmettere dati digitali ad alta velocità attraverso una barriera di isolamento capacitivo. Il segnale viene quindi demodulato sull'altro lato della barriera, creando un transceiver dati isolato ad alta tensione. Utilizzando la tecnologia digitale (es. codifica/decodifica Manchester, tracking parametri digitali), l'isolatore digitale è in grado di mantenere prestazioni costanti in un ampio intervallo di temperature e per l'intera vita operativa del componente.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCID9210 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 2 canali 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCID9210R2 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 2 canali 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCID9211R2 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 2 canali 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCID9401R2 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 4 canali 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCID9401 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 4 canali 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCID9411 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 4 canali 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCID9411R2 Isolatore digitale I2C SPI 5000 Vrms 4 canali 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCD57201DR2G Accoppiamento capacitivo gate driver 1,9 A, 2,3 A,1000 Vrms, 1 canale 8-SOIC Vedi i dettagli
NCV57200DR2G Gate driver in CI a semiponte non invertente in contenitore 8-SOIC Vedi i dettagli

Regolatori c.a./c.c., c.c./c.c.

Regolatore/convertitore c.a./c.c., c.c./c.c.

Regolatori c.a./c.c. - c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

  1. Controller a commutazione offline, inclusi i controller PWM flyback e forward a frequenza fissa e i controller in modalità di corrente e in modalità di tensione.
  2. Regolatori a commutazione offline, inclusi i dispositivi in modalità di corrente, in modalità di tensione e oscillatori con gate.
  3. Controller variabili del fattore di potenza CRM, CCM e DCM che consentono la correzione del fattore di potenza.
  4. Controller di raddrizzamento sincrono sul lato secondario.
  5. Controller c.c./c.c. in modalità di corrente e in modalità di tensione per circuiti di conversione di potenza c.c./c.c..
Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCP10670 Commutatori offline (flyback con interruttore di alimentazione integrato) Vedi i dettagli
FSL336 Commutatori offline (flyback con interruttore di alimentazione integrato) Vedi i dettagli
FSL337 Convertitore offline, topologia buck, buck/boost, flyback 50 kHz, 7-DIP Vedi i dettagli
FSL518A/H Commutatori offline (flyback con interruttore di alimentazione integrato) Vedi i dettagli
FSL538A/H Commutatori offline (flyback con interruttore di alimentazione integrato) Vedi i dettagli

Controller c.a./c.c. - c.c./c.c.

Regolatore/convertitore c.a./c.c., c.c./c.c.

Controller c.a./c.c. - c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

  1. Controller a commutazione offline, inclusi i controller PWM flyback e forward a frequenza fissa e i controller in modalità di corrente e in modalità di tensione.
  2. Regolatori a commutazione offline, inclusi i dispositivi in modalità di corrente, in modalità di tensione e oscillatori con gate.
  3. Controller variabili del fattore di potenza CRM, CCM e DCM che consentono la correzione del fattore di potenza.
  4. Controller di raddrizzamento sincrono sul lato secondario.
  5. Controller c.c./c.c. in modalità di corrente e in modalità di tensione per circuiti di conversione di potenza c.c./c.c..
Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCP1252 Controller PWM, modalità di corrente, per applicazioni forward e flyback Vedi i dettagli
NCP12700 Controller PWM in modalità di corrente, ingresso ultra-ampio Vedi i dettagli
NCP136x Controller PWM lato primario automotive per SMPS offline a bassa potenza Vedi i dettagli
NCP1568 Controller PWM flyback con clamping attivo c.a./c.c. Vedi i dettagli
NCP4306 Controller lato primario, secondario Vedi i dettagli

Convertitori c.c./c.c.

Convertitori c.c./c.c.

Convertitori c.c./c.c.

Codice componente Descrizione Vedi i dettagli
NCP3237MNTXG Regolatore a commutazione buck CI positivo regolabile 0,6 V 1 uscita 8 A 18-VFQFN Vedi i dettagli
FAN49100AUC330X Regolatore a commutazione buck/boost CI positivo fisso 3,3 V 1 uscita 2 A 20-UFBGA, WLCSP Vedi i dettagli
FAN49103AUC340X Regolatore a commutazione buck/boost CI positivo programmabile (fisso) 2,8 V, 3,4 V 1 uscita 2,5 A 20-UFBGA, WLCSP Vedi i dettagli
FAN53555UC08X Regolatore a commutazione CI uscita Vedi i dettagli
FAN53555BUC79X Regolatore a commutazione CI uscita Vedi i dettagli
FAN53555UC09X Regolatore a commutazione CI uscita Vedi i dettagli
FAN5910UCX Regolatore a commutazione CI uscita Vedi i dettagli
FAN48610UC50X Regolatore a commutazione boost CI positivo fisso 5 V 1 uscita 1 A (commutatore) 9-UFBGA, WLCSP Vedi i dettagli
FAN48610BUC50X Regolatore a commutazione boost CI positivo fisso 5 V 1 uscita 1 A (commutatore) 9-UFBGA, WLCSP Vedi i dettagli
FAN53880UC001X Regolatore a commutazione CI uscita Vedi i dettagli
NCP5252MNTXG Regolatore a commutazione buck CI positivo regolabile 0,6 V 1 uscita 2 A 16-VFQFN piazzola esposta Vedi i dettagli
NCP3064MNTXG Regolatore a commutazione buck, boost CI positivo o negativo regolabile 1,25 V 1 uscita 1,5 A (commutatore) 8-VDFN piazzola esposta Vedi i dettagli
NCP3064BDR2G Regolatore a commutazione buck, boost CI positivo o negativo regolabile 1,25 V 1 uscita 1,5 A (commutatore) 8-SOIC (3,90 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCP3064DR2G Regolatore a commutazione buck, boost CI positivo o negativo regolabile 1,25 V 1 uscita 1,5 A (commutatore) 8-SOIC (3,90 mm di larghezza) Vedi i dettagli
NCP3064MNTXG Regolatore a commutazione buck, boost CI positivo o negativo regolabile 1,25 V 1 uscita 1,5 A (commutatore) 8-VDFN piazzola esposta Vedi i dettagli
FAN53610AUC33X Regolatore a commutazione buck CI positivo fisso 3,3 V 1 uscita 1 A 6-UFBGA, WLCSP Vedi i dettagli