Microchip Technology

Serie di MOSFET discreti mSiC™

I MOSFET al carburo di silicio ad alta tensione di Microchip sono ideali per la conversione di potenza robusta ed efficiente

Immagine della serie di MOSFET discreti mSiC™ di MicrochipLa serie di MOSFET mSiC™ di Microchip è progettata per sistemi di alimentazione a media e alta tensione che richiedono alta efficienza, dimensioni compatte e affidabilità robusta. Questi dispositivi sfruttano la tecnologia del carburo di silicio per ridurre al minimo le perdite di conduzione e di commutazione, consentendo frequenze di commutazione più elevate e riducendo la complessità della gestione termica rispetto ai MOSFET e agli IGBT al silicio.

La serie comprende tensioni nominali da 700 V a 3.300 V e supporta temperature di giunzione fino a +175 °C. Tutte le famiglie condividono attributi fondamentali quali la robustezza a valanga, la capacità di resistenza ai cortocircuiti e le prestazioni stabili del body diode. Tuttavia, le famiglie MA, MB e MC offrono ottimizzazioni distinte per le diverse priorità di progettazione, dai sistemi industriali sensibili ai costi alle applicazioni automotive e per energie rinnovabili ad alte prestazioni.

Caratteristiche della serie MA
  • Destinato ad applicazioni ad altissima tensione (fino a 3.300 V)
  • Ottimizzato per ottenere una RDSon minima ad alte tensioni di pilotaggio del gate (da 18 V a 20 V)
  • Ideale per infrastrutture di rete, azionamenti per trazione e sistemi aerospaziali
Caratteristiche della serie MB
  • Ampia copertura industriale e automotive (tipicamente da 1.200 V a 1.700 V)
  • Gate driver consigliato: +18 V (on) e -5 V (off)
  • Bilanciamento dell'efficienza e dei costi per gli azionamenti di motori, i caricatori EV e gli inverter per energie rinnovabili
Caratteristiche della serie MC
  • Intervallo di tensione simile a quello della serie MB, ma con integrazione di un resistore di gate per una maggiore stabilità di commutazione
  • Riduce il numero di componenti esterni e semplifica il layout dei progetti ad alta frequenza
  • Preferito per i convertitori compatti e i sistemi che richiedono basse EMI
Caratteristiche
  • Bassa RDSon nell'intero intervallo di temperatura per l'alta efficienza
  • Robustezza a valanga e capacità di cortocircuito per la tolleranza ai guasti
  • Commutazione rapida con bassa carica del gate per il funzionamento ad alta frequenza
  • Intervallo di tensione: 700 ~ 3.300 V
  • Funzionamento ad alta temperatura: fino a +175 °C
Applicazioni
  • Azionamenti per motori industriali e sistemi di conversione di potenza
  • Inverter per energia rinnovabile (solare ed eolica)
  • Caricatori per veicoli elettrici e gruppi propulsori ibridi
  • Impianti di trasmissione e distribuzione smart grid
  • Alimentatori ad alta tensione e sistemi di saldatura

MA Series MOSFETs

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MB Series MOSFETs

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MC Series MOSFETs

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Data di pubblicazione: 2025-12-03

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