TO-263-7
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MSC080SMA120SDT/R

Codice DigiKey
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Produttore
Microchip Technology
Codice produttore
MSC080SMA120SDT/R
Descrizione
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Tempi di consegna standard del produttore
4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 15A, 20V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
838 pF @ 1000 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
182W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,81000€ 9,81
25€ 9,05160€ 226,29
100€ 7,87690€ 787,69
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,81000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,96820