Name: NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L020N090SC1-ND
Price: 29.7314 EUR
Availability: InStock

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NTH4L020N090SC1
Codice DigiKey	5556-NTH4L020N090SC1-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTH4L020N090SC1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 116 A (Tc) 484W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	116 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 60A, 15V
Vgs(th) max a Id	4,3V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	196 nC @ 15 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4415 pF @ 450 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	484W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4L
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	NTH4L02

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 24,37000	€ 24,37
30	€ 15,78800	€ 473,64
120	€ 15,10758	€ 1 812,91

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