Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	42 555 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04868 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	50pF a 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	189 869 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04955 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15 344 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05808 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	-	2 canali N (doppio)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,5nC a 4,5V	34pF a 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSS84AKS,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2 211 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05944 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	50V	160mA	7,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,35nC a 5V	36pF a 25V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	40 668 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,05960 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	510 194 In magazzino	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06751 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	350mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	61 894 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06235 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	-	20V	430mA	900mohm a 430mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	175pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	33 232 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06820 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	350mA, 200mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	2 120 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06820 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 In magazzino 456 000 Marketplace Verifica i tempi di consegna	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06444 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
BSS84AKV,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Nexperia USA Inc.	2 410 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07145 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	50V	170mA	7,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,35nC a 5V	36pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	560 375 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07971 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	916 709 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07568 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	232 598 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07885 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	200mA	4,5ohm a 100mA, 10V	1,5V a 250µA	0,44nC a 4,5V	13pF a 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	133 452 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08112 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	77 632 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07687 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	65 044 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07528 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	260mohm a 880mA, 4,5V	1,2V a 250µA	2,2nC a 4,5V	155pF a 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	49 867 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,07060 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	14 860 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07581 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	91 277 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08392 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	390mA	1,2ohm a 390mA, 4,5V	1,2V a 1,5µA	0,62nC a 4,5V	56pF a 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	45 238 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07948 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	59 965 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,08652 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	800mA	380mohm a 500mA, 4,5V	950mV a 250µA	0,68nC a 4,5V	83pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMGD290UCEAX MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15 755 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08908 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	725mA, 500mA	380mohm a 500mA, 4,5V	1,3V a 250µA	0,68nC a 4,5V	83pF a 10V	280mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	0 In magazzino 803 000 Marketplace Verifica i tempi di consegna	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08634 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	630mA	375mohm a 630mA, 4,5V	1,5V a 250µA	3nC a 4,5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	42 577 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08915 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	115mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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