Name: NVJD5121NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVJD5121NT1GOSTR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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NVJD5121NT1G
Codice DigiKey	NVJD5121NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVJD5121NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVJD5121NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVJD5121NT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 295mA 250mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVJD5121NT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	295mA
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,9nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	26pF a 20V
Potenza - Max	250mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base	NVJD5121

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Nastrato in bobina (TR)