Name: SUD90330E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD90330E-GE3TR-ND
Price: 2.3546 EUR
Availability: InStock

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SUD90330E-GE3
Codice DigiKey	SUD90330E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD90330E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD90330E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD90330E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 35,8 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1172 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35,8 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SUD90330
RDSon (max) a Id, Vgs 37,5mohm a 12,2A, 10V