SQM120N04-1M9_GE3 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Simile


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,64000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 1 125
Prezzo unitario : € 4,14000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,03264
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 729
Prezzo unitario : € 3,68000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 4 978
Prezzo unitario : € 3,02000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1 611
Prezzo unitario : € 3,85000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 665
Prezzo unitario : € 3,29000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1 154
Prezzo unitario : € 3,64000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 10 949
Prezzo unitario : € 2,24000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 3,13820

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 3,36597
Scheda tecnica

Simile


Renesas Electronics Corporation
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,04890
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica
Canale N 40 V 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SQM120N04-1M9_GE3

Codice DigiKey
SQM120N04-1M9_GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SQM120N04-1M9_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
270 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8790 pF @ 25 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,9mohm a 30A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (15)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1324-1-ND€ 2,64000Simile
AUIRF2804STRLInfineon Technologies0448-AUIRF2804STRLCT-ND€ 0,00000Simile
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.1 1251727-5518-1-ND€ 4,14000Simile
BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.01727-1095-2-ND€ 1,03264Simile
FDB8441onsemi729FDB8441CT-ND€ 3,68000Simile
Disponibile su ordinazione
Verifica i tempi di consegna
Questo prodotto non è disponibile in magazzino presso DigiKey. I tempi di consegna indicati riguarderanno la spedizione dal produttore a DigiKey. Una volta ricevuto il prodotto, DigiKey provvederà alla spedizione al cliente per evadere gli ordini aperti.
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,59638€ 1 277,10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,59638
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,94758