Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Equivalente parametrico

BUK962R6-40E,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-1095-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK962R6-40E,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 100 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 80.6 nC @ 32 V |
Produttore | Vgs (max) ±10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10285 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,4mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8441 | onsemi | 729 | FDB8441CT-ND | € 3,68000 | Simile |
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | 4 978 | IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND | € 3,02000 | Simile |
| IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | 1 611 | IPB120N04S401ATMA1CT-ND | € 3,85000 | Simile |
| IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 1 559 | IPB120N04S402ATMA1CT-ND | € 3,49000 | Simile |
| IPB90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 665 | 448-IPB90N04S402ATMA1CT-ND | € 3,29000 | Simile |







