NP109N04PUG-E1-AY è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Canale N 40 V 110 A (Tc) 1,8W (Ta), 220W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-3
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NP109N04PUG-E1-AY

Codice DigiKey
NP109N04PUG-E1-AY-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NP109N04PUG-E1-AY
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 110 A (Tc) 1,8W (Ta), 220W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NP109N04PUG-E1-AY Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
270 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
15750 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,8W (Ta), 220W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
2,3mohm a 55 A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (13)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AUIRF2804STRLInfineon Technologies0448-AUIRF2804STRLCT-ND€ 0,00000Simile
AUIRFS3004TRLInfineon Technologies0448-AUIRFS3004TRLTR-ND€ 3,19151Simile
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BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.01727-1095-2-ND€ 1,03264Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 2,04890€ 1 639,12
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,04890
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,49966