Name: SQJQ910EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND
Price: 3.7454 EUR
Availability: InStock

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SQJQ910EL-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJQ910EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJQ910EL-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 70 A (Tc) 187W A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJQ910EL-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 58nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2832pF a 50V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 187W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro PowerPAK® 8 x 8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 8,6mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQJQ910
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA