Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H017LPD-13TR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: InStock

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DMT10H017LPD-13
Codice DigiKey	31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H017LPD-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 54,7A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28,6nC a 10V
Produttore Diodes Incorporated	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1986pF a 50V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2,2W (Ta), 78W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 54,7A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 17,4mohm a 17A, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMT10