
DMT10H017LPD-13 | |
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Codice DigiKey | 31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMT10H017LPD-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 54,7A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 54,7A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 17,4mohm a 17A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 28,6nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1986pF a 50V | |
Potenza - Max | 2,2W (Ta), 78W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerTDFN | |
Contenitore del fornitore | PowerDI5060-8 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,95000 | € 1,95 |
| 10 | € 1,24900 | € 12,49 |
| 100 | € 0,84890 | € 84,89 |
| 500 | € 0,67784 | € 338,92 |
| 1 000 | € 0,65492 | € 654,92 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,54642 | € 1 366,05 |
| 5 000 | € 0,53506 | € 2 675,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,95000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,37900 |




