Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 3.2818 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IAUCN10S5L094DATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN10S5L094DATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 66A (Tj) 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-60
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN10S5L094DATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,2V a 35µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2180pF a 50V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 96W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 66A (Tj)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 9,4mohm a 30A, 10V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-60