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SQJ211ELP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ211ELP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ211ELP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 33,6A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ211ELP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3800 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 4 763
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,85000 | € 1,85 |
| 10 | € 1,18000 | € 11,80 |
| 100 | € 0,79980 | € 79,98 |
| 500 | € 0,63706 | € 318,53 |
| 1 000 | € 0,60760 | € 607,60 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,51831 | € 1 554,93 |
| 6 000 | € 0,49641 | € 2 978,46 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,85000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,25700 |
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