Name: SQ3427AEEV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3427AEEV-T1_GE3TR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

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SQ3427AEEV-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ3427AEEV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ3427AEEV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3427AEEV-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 5,3 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 30 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,3 A (Tc)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 95mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base SQ3427
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,28100

SQ3427AEEV-T1_GE3