
SI3127DV-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI3127DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3127DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3127DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3127DV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 3,5 A (Ta), 13 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI3127DV-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 89mohm a 1,5A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 833 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,63000 | € 0,63 |
| 10 | € 0,39200 | € 3,92 |
| 100 | € 0,25260 | € 25,26 |
| 500 | € 0,19230 | € 96,15 |
| 1 000 | € 0,17283 | € 172,83 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,14808 | € 444,24 |
| 6 000 | € 0,13561 | € 813,66 |
| 9 000 | € 0,12925 | € 1 163,25 |
| 15 000 | € 0,12211 | € 1 831,65 |
| 21 000 | € 0,11788 | € 2 475,48 |
| 30 000 | € 0,11377 | € 3 413,10 |
| 75 000 | € 0,11228 | € 8 421,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,63000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,76860 |











