Name: IRFR5410TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR5410PBFTR-ND
Price: 1.9398 EUR
Availability: InStock

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IRFR5410TRPBF
Codice DigiKey	IRFR5410PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFR5410PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFR5410PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR5410TRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 13 A (Tc) 66W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFR5410TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 58 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFR5410
RDSon (max) a Id, Vgs 205mohm a 7,8A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)