SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SQ2315ES-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2315ES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 5 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 870 pF @ 4 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 3,5A, 10V	Codice componente base SQ2315
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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