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SIZF5302DT-T1-RE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF5302DT-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF5302DT-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF5302DT-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 28,1A (Ta), 100A (Tc) 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZF5302DT-T1-RE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22,2nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1030pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro 12-PowerPair™ |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore PowerPAIR® 3x3FS |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28,1A (Ta), 100A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 2 341
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,42000 | € 2,42 |
| 10 | € 1,56100 | € 15,61 |
| 100 | € 1,07180 | € 107,18 |
| 500 | € 0,86222 | € 431,11 |
| 1 000 | € 0,80894 | € 808,94 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,70942 | € 2 128,26 |
| 6 000 | € 0,66643 | € 3 998,58 |
| 9 000 | € 0,66090 | € 5 948,10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,42000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,95240 |
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