Name: SIZF5300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND
Price: 3.3306 EUR
Availability: InStock

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SIZF5300DT-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF5300DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF5300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIZF5300DT-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 35A (Ta), 125A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIZF5300DT-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32nC a 10V
Serie TrenchFET® Gen V	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1480pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 12-PowerPair™
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore PowerPAIR® 3x3FS
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35A (Ta), 125A (Tc)	Codice componente base SIZF5300
RDSon (max) a Id, Vgs 2,43mohm a 10A, 10V