SIS176LDN-T1-GE3
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SISA10DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISA10DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISA10DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISA10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SISA10DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 30 A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SISA10DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,7mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2425 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8
Codice componente base
SISA10
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In magazzino: 7 764
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,36000€ 1,36
10€ 0,85700€ 8,57
100€ 0,57130€ 57,13
500€ 0,44882€ 224,41
1 000€ 0,40939€ 409,39
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,35935€ 1 078,05
6 000€ 0,33417€ 2 005,02
9 000€ 0,32389€ 2 915,01
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,65920