Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTBTR-ND
Price: 1.8788 EUR
Availability: InStock

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RQ3E180AJTB
Codice DigiKey	RQ3E180AJTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E180AJTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E180AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3E180AJTB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 18 A (Ta), 30 A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3E180AJTB Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 11mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 39 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4290 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta), 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 18A, 4,5V	Codice componente base RQ3E180