
SIR638ADP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | SIR638ADP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR638ADP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR638ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR638ADP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 100 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR638ADP-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 0,88mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 165 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 9100 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,19000 | € 2,19 |
| 10 | € 1,40700 | € 14,07 |
| 100 | € 0,96300 | € 96,30 |
| 500 | € 0,77298 | € 386,49 |
| 1 000 | € 0,76710 | € 767,10 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,63436 | € 1 903,08 |
| 6 000 | € 0,62672 | € 3 760,32 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,19000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,67180 |











