Name: SIR626LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR626LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIR626LDP-T1-RE3
Codice DigiKey	SIR626LDP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR626LDP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR626LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR626LDP-T1-RE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 45,6A (Ta), 186A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIR626LDP-T1-RE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	45,6A (Ta), 186A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5900 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SIR626