Name: BSZ028N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND
Price: 1.5616 EUR
Availability: InStock

BSZ028N04LSATMA1
Codice DigiKey	448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSZ028N04LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSZ028N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ028N04LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ028N04LSATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21 A (Ta), 40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2300 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8-FL
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSZ028

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,32008	€ 1 600,40
10 000	€ 0,30175	€ 3 017,50

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,28000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,56160

BSZ028N04LSATMA1